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SKM400GB12E4

更新时间： 2024-02-11 14:26:00

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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IGBT4 Modules

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SKM400GB12E4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-204	包装说明：	CASE D56, SEMITRANS-7
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	618 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	元件数量：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	681 ns
标称接通时间 (ton)：	289 ns	VCEsat-Max：	2.05 V
Base Number Matches：	1

SKM400GB12E4 数据手册

SKM400GB12E4

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1200

618

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 175 °C

475

I_Cnom

400

I_CRM

I_CRM= 3xI_Cnom

1200

-20 ... 20

V_GES

SEMITRANS^®3

V_CC= 800 V

V_GE≤ 15 V

V_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

IGBT4 Modules

SKM400GB12E4

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

440

329

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

400

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

1200

Features

1980

• IGBT4 = 4. Generation (Trench)IGBT

• VCEsat with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability, self

limiting to 6 x I_CNOM

-40 ... 175

°C

Module

I_t(RMS)

T_stg

500

-40 ... 125

4000

°C

• Soft switching 4. Generation CAL

diode (CAL4)

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Typical Applications

• AC inverter drives

• UPS

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

• Electronic welders at fsw up to 20 kHz

I_C= 400 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

1.8

2.2

2.05

2.4

Remarks

_GE= 15 V

• Case temperature limited to

Tc = 125°C max, recomm.

Top = -40 ... +150°C, product

rel. results valid for Tj = 150°

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.8

0.7

2.5

3.8

5.8

0.1

0.9

0.8

2.9

4.0

6.5

0.3

mΩ

V_GE= 15 V

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 15.2 mA

T_j= 25 °C

Ω

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

24.6

1.62

1.38

2260

1.9

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

t_d(on)

t_r

T_j= 150 °C

242

V_CC= 600 V

I_C= 400 A

_GE= ±15 V

E_on

t_d(off)

t_f

_{G on}= 1 Ω

_{G off}= 1 Ω

580

101

di/dt_on= 9700 A/µs

di/dt_off= 4300 A/µs

E_off

R_th(j-c)

K/W

per IGBT

0.072

Rev. 0 – 19.02.2009

12 3 4 5

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