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SKM400GB125D

更新时间： 2024-01-27 19:26:31
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 659K
描述
Ultra Fast IGBT Modules

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SKM400GB125D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.46其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：400 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e3/e4元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：IEC-60747-1子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN/SILVER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：532 ns
标称接通时间 (ton)：120 nsVCEsat-Max：3.85 V
Base Number Matches：1

SKM400GB125D 数据手册

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SKM 400GB125D  
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SKM 400GB125D  
SKM 400GAL125D  
SKM 400GAR125D  
 
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Features  
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1
20-09-2005 RAA  
© by SEMIKRON  
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SKM400GB125D 替代型号

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