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SKM400GB123D

更新时间: 2024-01-31 10:02:16
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 730K
描述
IGBT Modules

SKM400GB123D 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-204
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数:2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.79
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):400 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X5
JESD-609代码:e2元件数量:2
端子数量:5最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2500 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):800 ns
标称接通时间 (ton):315 nsVCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1

SKM400GB123D 数据手册

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SKM 400GB123D  
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Absolute Maximum Ratings  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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Features  
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:
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1ꢖ197  
LJM  
ꢈꢕꢉꢐ'ꢘꢓ  
Mechanical data  
 
ꢈꢋ ꢕꢏꢍꢈꢘꢄꢅN ꢁ$  
9
3
ꢔꢗ  
ꢔꢗ  
 
ꢈꢋ ꢈꢏꢑꢗꢄꢅꢍꢌꢘ ꢁ$  
903  
GB  
1
22-09-2005 RAA  
© by SEMIKRON  

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