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Datasheet > 暂无类别数据> SKIIP232GH120-210CTV
SKIIP232GH120-210CTV PDF预览

SKIIP232GH120-210CTV

更新时间： 2024-09-25 02:56:51
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
2页 58K
描述
4-pack - integrated intelligent Power System

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SKIIP232GH120-210CTV 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.83
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-XXMA-XJESD-609代码：e2
功能数量：2最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C输出电流流向：SOURCE AND SINK
标称输出峰值电流：0.005 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大供电电压：15.6 V最小供电电压：14.4 V
标称供电电压：15 V电源电压1-最大：30 V
电源电压1-分钟：20 V电源电压1-Nom：24 V
表面贴装：NO温度等级：OTHER
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SKIIP232GH120-210CTV 数据手册

 浏览型号SKIIP232GH120-210CTV的Datasheet PDF文件第2页 
SKiiP 232GH120-210CTV ...  
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intelligent Power System  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
ꢎ
Power section  
min.  
typ.  
max.  
Units  
SKiiP 232GH120-210CTV  
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Thermal characteristics (P16 heat sink; 310m /h); " " reference to  
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temperature sensor  
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1$  
1
$B$&  
This technical information specifies semiconductor devices but promises no  
characteristics. No warranty or guarantee, expressed or implied is made regarding  
delivery, performance or suitability.  
Case S 2  
1
22-03-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
12

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与SKIIP232GH120-210CTV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKIIP232GH120-210CTVF SEMIKRON

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 		暂无描述
SKIIP232GH120-210CTVU SEMIKRON

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 		Half Bridge Based Peripheral Driver, 250A
SKIIP232GH120-210F SEMIKRON

获取价格

 		Half Bridge Based Peripheral Driver, 250A
SKIIP232GH120-210U SEMIKRON

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 		Half Bridge Based Peripheral Driver, 250A
SKIIP23AC126V1 SEMIKRON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINISKIIP 2, 42 PI
SKIIP23AC12T3 SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE M2, MINISKIIP
SKIIP23AC12T4V1 SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINISKIIP 1, 42 PI
SKIIP23NAB126V1 SEMIKRON

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 		3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter
SKIIP23NAB126V10 SEMIKRON

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 		3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter
SKIIP23NAB126V10_09 SEMIKRON

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 		3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter

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