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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| 最大降落时间（tf）： | 3000 ns | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 700 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 350 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 15000 ns | 最大开启时间（吨）： | 2500 ns |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SK75DM100D | SEMIKRON |
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Power Bipolar Transistor, 75A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 7 Pin |
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| SK75GAL12T4 | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T18, 7 PIN |
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| SK75GAR12T4 | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T18, 7 PIN |
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| SK75GARL065E | SEMIKRON |
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IGBT Module |
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| SK75GARL065E_07 | SEMIKRON |
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IGBT Module |
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| SK75GARL07S5TD1E1 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules SEMITOP E1 (63x34x12) |
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| SK75GB066T | SEMIKRON |
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IGBT Module |
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| SK75GB12T4T | SEMIKRON |
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IGBT Module |
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| SK75GBB066T | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
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| SK75GD066T | SEMIKRON |
获取价格 |
3-phase bridge inverter |
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