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SK75GB066T

更新时间： 2024-11-16 12:20:19

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
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IGBT Module

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SK75GB066T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	77 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	611 ns
标称接通时间 (ton)：	145 ns	VCEsat-Max：	1.85 V
Base Number Matches：	1

SK75GB066T 数据手册

SK75GB066T

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Symbol Conditions

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SK75GB066T

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Features

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Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

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KI&

GB-T

03-06-2009 DIL

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SK75GB12T4T	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
SK75GBB066T	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
SK75GD066T	SEMIKRON	获取价格	3-phase bridge inverter
SK75GD066T_07	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
SK75GD066T_09	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
SK75GD06E3ETE2	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMITOP E2 (63x57x12)
SK75GD126T	SEMIKRON	获取价格	3-phase bridge inverter
SK75GD126T_07	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
SK75GD126T_08	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
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