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SK75MLI066T

更新时间: 2024-09-29 09:24:35
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 881K
描述
IGBT Module

SK75MLI066T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24针数:24
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.72其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):83 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X24
元件数量:4端子数量:24
最高工作温度:175 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):505 ns标称接通时间 (ton):171 ns
VCEsat-Max:1.85 VBase Number Matches:1

SK75MLI066T 数据手册

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SK75MLI066T  
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30-07-2009 DIL  
© by SEMIKRON  

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