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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-P16 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.69 |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 85 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-P16 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 16 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 384 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 290 ns | VCEsat-Max： | 3.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SK80GB125T_07 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
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| SK80GB125T_09 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
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| SK80GM063 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
|
| SK80GM063_07 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
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| SK80MB120CR03TE1 | SEMIKRON |
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SiC Modules SEMITOP E1 (63x34x12) |
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| SK80MBBB055 | SEMIKRON |
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MOSFET Module |
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| SK80MD055 | SEMIKRON |
获取价格 |
MOSFET Module |
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| SK80MD055_09 | SEMIKRON |
获取价格 |
MOSFET Module |
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| SK80TAA | SEMIKRON |
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Thyristor module |
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| SK80TAA08 | SEMIKRON |
获取价格 |
Thyristor module |
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