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SK80MD055

更新时间: 2024-09-29 03:31:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 416K
描述
MOSFET Module

SK80MD055 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-P13
针数:13Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V最大漏极电流 (ID):117 A
最大漏源导通电阻:0.0029 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-P13元件数量:6
端子数量:13工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):234 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SK80MD055 数据手册

 浏览型号SK80MD055的Datasheet PDF文件第2页 
SK 80 MD 055 MOSFET,TRANSISTOR  
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SK 80 MD 055  
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Features  
Characteristics  
Symbol Conditions  
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1
19-02-2007 DIL  
© by SEMIKRON  

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