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SK80GM063

更新时间： 2024-11-15 22:41:15
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 514K
描述
IGBT Module

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SK80GM063 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CASE T35, SEMITOP-10
针数：10Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：81 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X5JESD-609代码：e3/e4
元件数量：2端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN/SILVER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：275 ns
标称接通时间 (ton)：80 nsVCEsat-Max：2.5 V
Base Number Matches：1

SK80GM063 数据手册

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SK 80 GM 063  
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Values  
Units  
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.
.
8
8
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8
8
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(
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IGBT Module  
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SK 80 GM 063  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
ꢊ
Preliminary Data  
min.  
typ.  
max. Units  
.
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.
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Features  
.
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Typical Applications  
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*
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GM  
1
19-10-2005 RAM  
© by SEMIKRON  
1234

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