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SK80GB063T PDF预览

SK80GB063T

更新时间： 2024-11-16 03:31:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 541K
描述
IGBT Module

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SK80GB063T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15
针数：15Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.71其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：81 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X15JESD-609代码：e2
元件数量：2端子数量：15
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：335 ns标称接通时间 (ton)：75 ns
Base Number Matches：1

SK80GB063T 数据手册

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SK 80 GB 063 T  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
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Values  
Units  
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.
.
8
8
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.
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8
8
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®
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ꢇꢄ : 6 ꢃꢊ5 (ꢊ ) *+ ꢘ41  ,ꢁ5  
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SEMITOP 3  
(
= ;1 >>> ? 6+1  
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(
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IGBT Module  
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SK 80 GB 063 T  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
ꢊ
Preliminary Data  
min.  
typ.  
max. Units  
.
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.
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Features  
.
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1-0  
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2/ꢘꢇꢕ  
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Typical Applications  
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B
( B4  
GB  
1
11-04-2005 RAM  
© by SEMIKRON  
1234

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