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SK75GB12T4T

更新时间: 2024-11-16 09:24:35
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 822K
描述
IGBT Module

SK75GB12T4T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7针数:16
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.7Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):80 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-PUFM-X7
元件数量:2端子数量:7
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):601 ns
标称接通时间 (ton):128 nsVCEsat-Max:2.05 V
Base Number Matches:1

SK75GB12T4T 数据手册

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SK75GB12T4T  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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GB-T  
1
05-10-2009 DIL  
© by SEMIKRON  

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