是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 | 针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.7 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 80 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-PUFM-X7 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 7 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 601 ns |
标称接通时间 (ton): | 128 ns | VCEsat-Max: | 2.05 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SK75GBB066T | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK75GD066T | SEMIKRON |
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3-phase bridge inverter | |
SK75GD066T_07 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK75GD066T_09 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK75GD06E3ETE2 | SEMIKRON |
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IGBT Modules SEMITOP E2 (63x57x12) | |
SK75GD126T | SEMIKRON |
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3-phase bridge inverter | |
SK75GD126T_07 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK75GD126T_08 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK75GD12T4ETE2 | SEMIKRON |
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IGBT Modules SEMITOP E2 (63x57x12) | |
SK75GD12T4T | SEMIKRON |
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IGBT Module |