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SK75GARL065E

更新时间： 2024-11-16 03:19:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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5页 699K
描述
IGBT Module

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SK75GARL065E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14
针数：14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：80 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X14JESD-609代码：e2
元件数量：2端子数量：14
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified参考标准：IEC-60747-1
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：446 ns
标称接通时间 (ton)：112 nsBase Number Matches：1

SK75GARL065E 数据手册

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SK75GARL065E  
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Features  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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GARL-E  
1
21-02-2007 SCT  
© by SEMIKRON  
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