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SK75GARL07S5TD1E1

更新时间： 2024-11-17 14:54:23

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	706K
描述
IGBT Modules SEMITOP E1 (63x34x12)

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SK75GARL07S5TD1E1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
Base Number Matches：	1

SK75GARL07S5TD1E1 数据手册

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SK75GARL07S5TD1E1

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT 1

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

650

150

-20 ... 20

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

P12

T_j= 175 °C

I_C

HPTP / HP-PCM

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

SEMITOP^®E1

Symmetrical Boost

SK75GARL07S5TD1E1

Features*

V_CC= 360 V

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

t_psc

T_j

not capable

-40 ... 175

µs

°C

_CES≤ 650 V

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Diode 1

Values

Unit

• Optimized design for superior thermal

performance

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

650

150

450

380

°C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

P12

T_j= 175 °C

• Low inductive design

• Press-Fit contact technology

• 650V Trench5 IGBT (S5)

• Rapid switching diode technology

• Integrated NTC temperature sensor

• UL recognized file no. E 63 532

I_F

HPTP / HP-PCM

T_j= 175 °C

I_FRM

I_FSM

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

10 ms

sin 180°

Typical Applications

• UPS

• Solar

T_j

-40 ... 175

Remarks

• Recommended T_j,op=-40 ...+150 °C

• Diode1: outer Freewheeling Diodes

• Diode2: inner Antiparalell Diodes

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Diode 2

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

650

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

P12

T_j= 175 °C

I_F

HPTP / HP-PCM

T_j= 175 °C

I_FRM

I_FSM

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

10 ms

sin 180°

T_j

-40 ... 175

°C

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Module

Values

Unit

∆T_terminalat PCB joint = 30 K, per pin

module without TIM

AC, sinusoidal, t = 1 min

I_t(RMS)

T_stg

V_isol

-40 ... 125

2500

°C

GARL-T

Rev. 1.0 – 06.07.2022

12 3 4 5 6 7

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