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SK75GAL12T4

更新时间： 2024-09-29 15:51:19
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 741K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T18, 7 PIN

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SK75GAL12T4 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：80 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：601 ns
标称接通时间 (ton)：128 nsBase Number Matches：1

SK75GAL12T4 数据手册

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SK75GAL12T4  
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Features  
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Characteristics  
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12-12-2009 DIL  
© by SEMIKRON  
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与SK75GAL12T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SK75GAR12T4 SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T18, 7 PIN
SK75GARL065E SEMIKRON

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 		IGBT Module
SK75GARL065E_07 SEMIKRON

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 		IGBT Module
SK75GARL07S5TD1E1 SEMIKRON

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 		IGBT Modules SEMITOP E1 (63x34x12)
SK75GB066T SEMIKRON

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 		IGBT Module
SK75GB12T4T SEMIKRON

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 		IGBT Module
SK75GBB066T SEMIKRON

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 		IGBT Module
SK75GD066T SEMIKRON

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 		3-phase bridge inverter
SK75GD066T_07 SEMIKRON

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 		IGBT Module
SK75GD066T_09 SEMIKRON

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 		IGBT Module

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