是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.08 |
雪崩能效等级(Eas): | 290 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 9.2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.75 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 170 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 37 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Powers | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIHFSL11N50A | VISHAY |
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TRANSISTOR 11 A, 500 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3, | |
SIHFSL11N50A-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 11 A, 500 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, | |
SIHFSL9N60A | VISHAY |
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TRANSISTOR 9.2 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, | |
SIHFSL9N60A-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 9.2 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, | |
SIHFSL9N60A-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 9.2 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AN | |
SIHFU014 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFU014 | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
SIHFU014-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFU014-E3 | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
SIHFU014-GE3 | VISHAY |
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Power MOSFET |