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SIHFSL11N50A-E3

更新时间： 2024-11-21 20:10:07

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	307K
描述
TRANSISTOR 11 A, 500 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFSL11N50A-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.21
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	390 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFSL11N50A-E3 数据手册

IRFSL11N50A, SiHFSL11N50A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

500

R_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.55

Q_g(Max.) (nC)

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Configuration

Single

DESCRIPTION

I²PAK

(TO-262)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

I²PAK (TO-262)

IRFSL11N50APbF

SiHFSL11N50A-E3

Lead (Pb)-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

7.0

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

390

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

190

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.1

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 6.4 mH, R_G= 25 , I_AS= 11 A (see fig. 12).

c. I_SD 11 A, dI/dt  185 A/μs, V_DD V_DS, T_J 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91288

S11-1054-Rev. B, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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SIHFSL9N60A-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 9.2 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT,
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