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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 275 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.52 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIHFS11N50ATR-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFS9N60A | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFS9N60A-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFS9N60ATL | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFS9N60ATL-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFS9N60ATR | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFS9N60ATR-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFS9N60ATRL-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 9.2 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AN |
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| SIHFS9N60ATRR-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 9.2 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AN |
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| SIHFSL11N50A | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 11 A, 500 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3, |
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