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SIHFBE30S-GE3

更新时间： 2024-11-27 20:00:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	473K
描述
TRANSISTOR 4.1 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFBE30S-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.09
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	260 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.1 A
最大漏极电流 (ID)：	4.1 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFBE30S-GE3 数据手册

IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

800

_DS(on)()

V_GS= 10 V

3.0

Q_g(Max.) (nC)

9.6

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

D²PAK

I²PAK

(TO-263)

(TO-262)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

SiHFBE30S-GE3

IRFBE30SPbF

SiHFBE30S-E3

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

SiHFBE30L-GE3

IRFBE30LPbF

SiHFBE30L-E3

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHFBE30STRL-GE3^a

IRFBE30STRLPbF^a

SiHFBE30STL-E3^a

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

800

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

4.1

2.6

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

260

4.1

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

P_D

125

2.0

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

°C

for 10 s

300^d

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 29 mH, R_g= 25 , I_AS= 4.1 A (see fig. 12).

c. I_SD 4.1 A, dI/dt  100 A/μs, V_DD 600 V, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91119

S11-1053-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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