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SIHFBC40L-E3

更新时间： 2024-10-15 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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SIHFBC40L-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	570 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A	最大漏极电流 (ID)：	6.2 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFBC40L-E3 数据手册

IRFBC40S, IRFBC40L, SiHFBC40S, SiHFBC40L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Surface Mount (IRFBC40S/SiHFBC40S)

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

600

Available

•

Low-Profile Through-Hole (IRFBC40L, SiHFBC40L)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.2

RoHS*

• Available in Tape and Reel (IRFBC20S,

SiHFBC20S)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

8.3

_gs(nC)

_gd(nC)

• Dynamic dV/dt Rating

• 150 °C Operating Temperature

• Fast Switching

Configuration

Single

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK is a surface mount power package capable of

the accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of its

low internal connection resistance and can dissipate up to

N-Channel MOSFET

2.0

W in a typical surface mount application. The

through-hole version (IRFBC40L/SiHFBC40L) is available

for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFBC40SPbF

SiHFBC40S-E3

IRFBC40S

D²PAK (TO-263)

IRFBC40STRLPbF^a

SiHFBC40STL-E3^a

IRFBC40STRL^a

I²PAK (TO-262)

IRFBC40LPbF

SiHFBC40L-E3

IRFBC40L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBC40S

SiHFBC40STL^a

SiHFBC40L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage^e

Gate-Source Voltage^e

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

6.2

3.9

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a,e

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

570

6.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

E_AR

_C= 25 °C

130

3.1

3.0

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

P_D

T_A= 25 °C

dV/dt

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91116

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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SIHFBC40S-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
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