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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHF9640-E3
SIHF9640-E3 PDF预览

SIHF9640-E3

更新时间： 2024-11-24 06:11:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1929K
描述
Power MOSFET

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SIHF9640-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.12Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：700 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHF9640-E3 数据手册

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IRF9640, SiHF9640  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 200  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• P-Channel  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Max.) (nC)  
Qgs (nC)  
VGS = - 10 V  
0.50  
RoHS*  
COMPLIANT  
44  
7.1  
• Fast Switching  
• Ease of Paralleling  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Qgd (nC)  
27  
Configuration  
Single  
S
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
G
D
P-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF9640PbF  
SiHF9640-E3  
IRF9640  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF9640  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 200  
20  
UNIT  
V
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VGS  
V
T
C = 25 °C  
- 11  
Continuous Drain Current  
VGS at - 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
- 6.8  
- 44  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
700  
- 11  
EAR  
13  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
125  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 5.0  
- 55 to + 150  
300d  
10  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 8.7 mH, RG = 25 Ω, IAS = - 11 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ - 11 A, dI/dt ≤ 150 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91086  
S-81272-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
12345678

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与SIHF9640-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SIHF9640L-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND
SIHF9640S VISHAY

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 		TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
SIHF9640S-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, T
SIHF9640STL VISHAY

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 		TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
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SIHF9640STR VISHAY

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