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SIHF9640L-GE3

更新时间： 2024-11-24 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	195K
描述
TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHF9640L-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF9640L-GE3 数据手册

IRF9640S, SiHF9640S, IRF9640L, SiHF9640L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

- 200

V_GS= - 10 V

Definition

• Surface Mount

R_DS(on)()

0.50

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

Q_g(Max.) (nC)

7.1

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK (TO-263) is a surface mount power package. It

provides the highest power capability and the lowest

possible on-resistance in any existing surface mount

package. The D²PAK (TO-263) is suitable for high current

applications because of its low internal connection

resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface

mount application. The through-hole version (IRF9640L,

SiHF9640L) is available for low-profile applications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF9640STRLPbF^a

SiHF9640STL-E3^a

D²PAK (TO-263)

IRF9640STRRPbF^a

SiHF9640STR-E3^a

I²PAK (TO-262)

SiHF9640L-GE3

IRF9640LPbF

SiHF9640L-E3

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHF9640S-GE3

IRF9640SPbF

SiHF9640S-E3

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

LIMIT

- 200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

- 11

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

- 6.8

- 44

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

0.025

700

E_AS

I_AR

- 11

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

125

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

3.0

dV/dt

- 5.0

- 55 to + 150

300^d

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 8.7 mH, R_g= 25 , I_AS= - 11 A (see fig. 12).

c. I_SD - 11 A, dI/dt  150 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91087

S11-1052-Rev. D, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF9640S	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
SIHF9640S-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, T
SIHF9640STL	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
SIHF9640STL-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, T
SIHF9640STR	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
SIHF9640STR-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, T
SIHF9Z10-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 6.7 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, T
SIHF9Z14-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 6.7 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, T
SIHF9Z14L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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