Datasheet > SIE878DF

SIE878DF

更新时间： 2024-11-13 09:25:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
10页	188K
描述
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIE878DF 数据手册

New Product

SiE878DF

Vishay Siliconix

N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^a

TrenchFET^®Gen III Power MOSFET

Ultra Low Thermal Resistance Using Top-

Exposed PolarPAK^®Package for Double-

Sided Cooling

0.0052 at V = 10 V

•

11.2 nC

0.0068 at V = 4.5 V

•

Leadframe-Based New Encapsulated Package

- Die Not Exposed

Package Drawing

www.vishay.com/doc?68797

- Same Layout Regardless of Die Size

Low Q_gd/Q_gsRatio Helps Prevent Shoot-Through

100 % R_gand UIS Tested

•

PolarPAK

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

•

VRM, POL

DC/DC Conversion

Server

High-Side Switch

Top View

Top surface is connected to pins 1, 5, 6, and 10

Ordering Information: SiE878DF-T1-GE3 (Lead (Pb)-free) and Halogen-free

Bottom View

N-Channel MOSFET

For Related Documents

www.vishay.com/ppg?65456

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

45^a

Unit

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

_A= 25 °C

T_A= 70 °C

42.5

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

24^{b, c}

19^{b, c}

100

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

_C= 25 °C

_A= 25 °C

20.8

4.3^{b, c}

Continuous Source-Drain Diode Current

I_AS

E_AS

Single Pulse Avalanche Current

Avalanche Energy

L = 0.1 mH

_C= 25 °C

_C= 70 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

5.2^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

3.3^{b, c}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

T_J, T_stg

- 55 to 150

260

°C

Notes:

a. T_C= 25 °C. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PolarPAK is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not

plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not

required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 65456

S09-2034-Rev. A, 05-Oct-09

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与SIE878DF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIE878DF-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SIE882DF	VISHAY	获取价格	N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SIE882DF-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SiEH4800EW	VISHAY	获取价格	N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET
SIE-MM17 Series	MERITEK	获取价格	SIE-MM17 Series \| Signal Inductor Wire Wound Ceramic Chip Type
SIF10N40C(TO-220&220FP&262&263)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF10N40D(TO-220&220FP&262&263)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF10N40DA(TO-220&220FP&262&263)2	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF10N40E(TO-220&220FP&262&263)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF10N40E(TO-251T&251S&252&252S)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

与SIE878DF相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

25
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIE878DF

SIE878DF 数据手册

与SIE878DF相关器件

与SIE878DF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIE878DF

SIE878DF 数据手册

与SIE878DF相关器件

与SIE878DF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？