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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFN | 包装说明： | 3 X 3 MM, 0.55 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, QFN-20 |
| 针数： | 20 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 8.02 |
| JESD-30 代码： | S-XQCC-N20 | 长度： | 3 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -20 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | HVQCCN |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 0.6 mm | 标称供电电压： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 电信集成电路类型： | RF AND BASEBAND CIRCUIT | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4712 | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, QFN-20 |
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| SI4712DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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| SI4712DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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| SI4713 | SILICON |
获取价格 |
SI4713 调频广播发射机，用于便携式应用 [FM Radio Transmitte |
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| SI4713-B30 | SILICON |
获取价格 |
FM RADIO TRANSMITTER WITH RECEIVE POWER SCAN |
|
| SI4713-B30-GM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 3 X 3 MM, 0.55 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, QFN-20 |
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| SI4713-B30-GMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 3 X 3 MM, 0.55 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, QFN-20 |
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| SI4714DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
|
| SI4714DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
|
| SI4719CY | VISHAY |
获取价格 |
Battery Disconnect Switch |
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