Datasheet > SI4710CY-T1-E3

SI4710CY-T1-E3

更新时间： 2024-09-15 20:05:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	99K
描述
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI4710CY-T1-E3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.67
可调阈值：	NO	模拟集成电路 - 其他类型：	POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.9 mm
信道数量：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	最大供电电压 (Vsup)：	30 V
最小供电电压 (Vsup)：	6 V	标称供电电压 (Vsup)：	10 V
表面贴装：	YES	温度等级：	OTHER
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

SI4710CY-T1-E3 数据手册

Si4710CY

Vishay Siliconix

New Product

Battery Disconnect Switch

FEATURES

D Solution for Bi-Directional Blocking

D Level-Shifted Gate Drive with Internal MOSFET

Bi-Directional Conduction Switch

D Ultra Low Power Consumption in Off State

D 6- to 30-V Operation

(Leakage Current Only)

D Logic Supply Voltage is Not Required

D Ground Referenced Logic Level Inputs

D Integrated Low r_DS(on)MOSFET

DESCRIPTION

The Si4710CY is a level-shifted p-channel MOSFET. Operating

two in a series, these MOSFETs can be used as a reverse

blocking switch for battery disconnect applications. It is a solution

for multiple battery technology designs or designs that require

isolation from the power bus during charging.

The Si4710CY is available in a 8-pin SOIC package and is rated

for the commercial temperature range of –25 to 85_C.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM AND PIN CONFIGURATION

5, 6, 7

Logic

ESD

and

Gate

Drive

Level

Shift

GND

3, 4

Limiter

Half a circuit shown here.

Document Number: 71106

S-99585—Rev. A, 20-Dec-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与SI4710CY-T1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4711	SILICON	获取价格	FM Radio Transmitter for Portable Applications
SI4711-B30	SILICON	获取价格	Si4710/11-B30 FM RADIO TRANSMITTER
SI4711-B30-GMR	SILICON	获取价格	RF and Baseband Circuit, CMOS, 3 X 3 MM, 0.55 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, QFN-20
SI4712	SILICON	获取价格	RF and Baseband Circuit, CMOS, QFN-20
SI4712DY	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4712DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4713	SILICON	获取价格	SI4713 调频广播发射机，用于便携式应用 [FM Radio Transmitte
SI4713-B30	SILICON	获取价格	FM RADIO TRANSMITTER WITH RECEIVE POWER SCAN
SI4713-B30-GM	SILICON	获取价格	RF and Baseband Circuit, CMOS, 3 X 3 MM, 0.55 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, QFN-20
SI4713-B30-GMR	SILICON	获取价格	RF and Baseband Circuit, CMOS, 3 X 3 MM, 0.55 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, QFN-20