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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | TSSOP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 2.22 | 模拟集成电路 - 其他类型： | PHASE LOCKED LOOP |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 7.8 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Silver (Ag) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 4.4 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4123G | SILICON |
获取价格 |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4123G-BM | SILICON |
获取价格 |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
|
| SI4123G-BMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, MLP-28 |
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| SI4123G-BT | SILICON |
获取价格 |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4123G-BT* | ETC |
获取价格 |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4124DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI4124DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI4124DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4126 | SILICON |
获取价格 |
ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4126DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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