Datasheet > SI4128DY-T1-GE3

SI4128DY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-27 12:35:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
10页	257K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI4128DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	3.82
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	10.9 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4128DY-T1-GE3 数据手册

New Product

Si4128DY

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

_D(A)^a

10.9

9.7

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

Available

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gTested

0.024 at V_GS= 10 V

0.030 at V_GS= 4.5 V

•

3.8 nC

APPLICATIONS

• Notebook PC

- System Power

- Load Switch

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

Ordering Information: Si4128DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si4128DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

V_GS

Limit

Unit

_C= 25 °C

_C= 70 °C

_A= 25 °C

10.9

8.7

7.5^{b, c}

6^{b, c}

4.2

2^{b, c}

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

3.2

P_D

Maximum Power Dissipation

2.4^{b, c}

1.5^{b, c}

T_J, T_stg

°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient^{b, d}

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

t ≤ 10 s

Steady State

R_thJA

R_thJF

°C/W

Notes:

a. T_C= 25 °C.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.

Document Number: 69004

S-83089-Rev. C, 29-Dec-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

SI4128DY-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4128DY-T1-E3	VISHAY	功能相似	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与SI4128DY-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4133	SILICON	获取价格	DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4133-BM	ETC	获取价格	DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4133-BT	ETC	获取价格	DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4133-D-GM	SILICON	获取价格	DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4133-D-GMR	SILICON	获取价格	RF and Baseband Circuit, ROHS COMPLIANT, MS-220VHHD-1, QFN-28
SI4133-D-GT	SILICON	获取价格	DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4133G	SILICON	获取价格	DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4133G-BM	SILICON	获取价格	DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4133G-BMR	SILICON	获取价格	RF and Baseband Circuit, MLP-28
SI4133G-BT	SILICON	获取价格	DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS

与SI4128DY-T1-GE3相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

19
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

15
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

18
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

28

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI4128DY-T1-GE3

SI4128DY-T1-GE3 技术参数

SI4128DY-T1-GE3 数据手册

SI4128DY-T1-GE3 替代型号

与SI4128DY-T1-GE3相关器件

与SI4128DY-T1-GE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI4128DY-T1-GE3

SI4128DY-T1-GE3 技术参数

SI4128DY-T1-GE3 数据手册

SI4128DY-T1-GE3 替代型号

与SI4128DY-T1-GE3相关器件

与SI4128DY-T1-GE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？