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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | HVQCCN, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 1.64 | 模拟集成电路 - 其他类型： | PHASE LOCKED LOOP |
| JESD-30 代码： | S-XQCC-N28 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 5 mm | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | HVQCCN |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 0.9 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI4133-D-GM | SILICON |
完全替代  |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4133-D-GT | SILICON |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4133G | SILICON |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4133G-BM | SILICON |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4133G-BMR | SILICON |
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RF and Baseband Circuit, MLP-28 |
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| SI4133G-BT | SILICON |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4133G-BT* | ETC |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4133G-X2 | ETC |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4133G-XM2 | ETC |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4133G-XT2 | ETC |
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DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4133T-BM | SILICON |
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暂无描述 |
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