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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFN | 包装说明： | HVQCCN, LCC28,.2SQ,20 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.64 |
| JESD-30 代码： | S-XQCC-N28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 5 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | HVQCCN | 封装等效代码： | LCC28,.2SQ,20 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 2.7/3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 0.9 mm |
| 子类别： | Other Telecom ICs | 标称供电电压： | 2.85 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 电信集成电路类型： | RF AND BASEBAND CIRCUIT | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4133T-GM | SILICON |
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暂无描述 |
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| SI4133T-GMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 5 X 5 MM, LEAD FREE, QFN-28 |
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| SI4133W | SILICON |
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RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR W-CDMA AND GSM/UMTS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4133W-BM | SILICON |
获取价格 |
RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR W-CDMA AND GSM/UMTS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4133W-D-GM | SILICON |
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RF and Baseband Circuit, 5 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, QFN-28 |
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| SI4134DY | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4134DY_11 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI4134DY-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI4134T-BM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 5 X 5 MM, QFN-32 |
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