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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | TSSOP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.7 | 模拟集成电路 - 其他类型： | PHASE LOCKED LOOP |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 | 长度： | 7.8 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -20 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 4.4 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4123G-BM | SILICON |
获取价格 |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4123G-BMR | SILICON |
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RF and Baseband Circuit, MLP-28 |
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| SI4123G-BT | SILICON |
获取价格 |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4123G-BT* | ETC |
获取价格 |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4124DY | VISHAY |
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N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI4124DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI4124DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI4126 | SILICON |
获取价格 |
ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
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| SI4126DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4126-F-BM | SILICON |
获取价格 |
ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
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