5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | HVQCCN, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | 模拟集成电路 - 其他类型： | PHASE LOCKED LOOP |
| JESD-30 代码： | S-XQCC-N28 | 长度： | 5 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -20 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | HVQCCN |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 0.9 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 5 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4123G-BT | SILICON |
获取价格 |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
|
| SI4123G-BT* | ETC |
获取价格 |
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
|
| SI4124DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4124DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4124DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4126 | SILICON |
获取价格 |
ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
|
| SI4126DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4126-F-BM | SILICON |
获取价格 |
ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
|
| SI4126-F-GM | SILICON |
获取价格 |
ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
|
| SI4126-F-GMR | SILICON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
