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SI-A3000/1350-6F

更新时间: 2024-09-16 19:39:47
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 129K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 8000V V(RRM), Silicon,

SI-A3000/1350-6F 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):6 V
JESD-30 代码:O-PUPM-X1最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-50 °C最大输出电流:2.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:8000 V最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SI-A3000/1350-6F 数据手册

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SI-A3000/1350-6F  
Version 2014-03-17  
SI-A3000/1350-6F  
High Voltage Silicon Rectifier Diodes  
Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden  
Nominal current  
Nennstrom  
2.5 A  
3000 V  
55  
Alternating input voltage  
Eingangswechselspannung  
16  
Hockey-puck plastic case  
Hockey-puck Kunststoffgehäuse  
Ø 55 x 23 [mm]  
125 g  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
Polarity: Cathode to stud  
Polarität: Kathode am Außengewinde  
Compound has classification UL94V-0  
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert  
Si-A 3000/1350-6F  
M 8  
Standard packaging bulk  
Standard Lieferform lose im Karton  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type 1)  
Typ 1)  
Rated DC voltage  
Anschlussgleichspg.  
VRD [V]  
Alternat. input voltage  
Eingangswechselspg.  
VVRMS [V]  
Rep. peak reverse voltage  
Period. Spitzensperrspg.  
VRRM [V]  
SI-A3000/1350-6F  
1350  
3000  
8000  
Maximum ratings, TA = 50°C  
Grenzwerte, TA = 50°C  
Type  
Typ  
Max. average fwd. current  
Peak fwd. surge current  
Stoßstrom  
Rating for fusing  
Grenzlastintegral  
i2t [A2s] (t<10 ms)  
Dauergrenzstrom  
IFRM [A]  
IFSM [A] 1)  
SI-A3000/1350-6F  
2.5  
200  
200  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
Admissible torque for mounting  
Zulässiges Anzugsdrehmoment  
M8  
< 72 lb.in.  
< 8 Nm  
1
1
SI-A and SI-E are identical devices – Si-A und SI-E sind identische Bauteile  
For one 50 Hz half sine-wave – Für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 

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