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SFF40N30MUBTX

更新时间: 2024-11-06 13:13:27
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SSDI /
页数 文件大小 规格书
2页 202K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

SFF40N30MUBTX 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-254AA
包装说明:FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.64Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):1500 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:300 V
最大漏极电流 (ID):40 A最大漏源导通电阻:0.06 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:S-XSFM-P3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SFF40N30MUBTX 数据手册

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