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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.72 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257 |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF420JGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF420M | SSDI |
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Transistor |
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| SFF420M6 | SSDI |
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Transistor |
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| SFF420M6GZ | SSDI |
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Transistor |
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| SFF420MGZ | SSDI |
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Transistor |
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| SFF420P6 | SSDI |
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Transistor |
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| SFF420P6GZ | SSDI |
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Transistor |
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| SFF420T | SSDI |
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Transistor |
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| SFF420TGZ | SSDI |
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Transistor |
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| SFF420V | SSDI |
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Transistor |
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