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SFF40N30N

更新时间: 2024-11-06 03:32:35
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SSDI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 236K
描述
40 AMPS 300 VOLTS 0.10 OHM N-Channel POWER MOSFET

SFF40N30N 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-258
包装说明:FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.68配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:300 V最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-258AAJESD-30 代码:R-MSFM-P3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SFF40N30N 数据手册

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