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SFF40N30ZDBTXV

更新时间： 2024-09-16 19:21:19

品牌	Logo	应用领域
SSDI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	117K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN

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SFF40N30ZDBTXV 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFF40N30ZDBTXV 数据手册

SFF40N30M

SFF40N30Z

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

40 AMP , 300 Volts, 50 mΩ

Avalanche Rated N-channel

MOSFET

Part Number / Ordering Information ^1/

SFF40N30 ___ ___ ___

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

│

└

│

└

Features:

Rugged poly-Si gate

Lead Option ^3/

__ = Straight Leads

DB = Down Bend

UB = Up Bend

•

Lowest ON-resistance in the industry

Avalanche rated

Hermetically Sealed, Isolated Package

Low Total Gate Charge

Fast Switching

TX, TXV, S-Level screening available

Improved (R_DS(ON)Q_G) figure of merit

Package ^{3/ 4/}

M = TO-254

Z = TO-254Z

Maximum Ratings

Symbol

V_DSS

Value

Units

Drain - Source Voltage

Gate – Source Voltage

300

±20

±30

continuous

transient

V_GS

I_D1

Max. Continuous Drain Current (package

limited)

@ T_C= 25ºC

@ T_C= 125ºC

I_D2

I_D3

Max. Instantaneous Drain Current (Tj limited)

Max. Avalanche current

I_AR

@ L= 0.1 mH

@ T_C= 25ºC

E_AS

E_AR

1500

Single and Repetitive Avalanche Energy

Total Power Dissipation

P_D

150

Operating & Storage Temperature

ºC

-55 to +150

T_OP& T_STG

Maximum Thermal Resistance

(Junction to Case)

1.0

(typ.0.75)

R_θJC

ºC /W

NOTES:

TO-254

TO-254Z

*Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%.

1/ For ordering information, price, and availability - contact

factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows

available on request.

3/ For package outlines / lead bending options / pinout

configurations - contact factory.

4/ Maximum current limited by package configuration

5/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics

@25ºC.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: F00141H

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFF40N30ZTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF40N30ZUB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF40N30ZUBS	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF40N30ZUBTX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF40N60N	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
SFF40N60NDBTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
SFF40N60NUB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
SFF40N60P	SSDI	获取价格	40 A, 600 V, 40 mΩ typ N-Channel Power MOSFET
SFF40N60PDBS	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
SFF40N60PDBTX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor

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