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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-254AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF40N30ZDBS | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF40N30ZDBTX | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF40N30ZDBTXV | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF40N30ZTXV | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF40N30ZUB | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF40N30ZUBS | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF40N30ZUBTX | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF40N60N | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF40N60NDBTXV | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF40N60NUB | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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