SFF24N50M

更新时间： 2024-11-15 03:32:35

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24 AMP / 500 Volts 0.2 OHM N-Channel POWER MOSFET

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SFF24N50M 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

SFF24N50M 数据手册

SFF24N50M

SFF24N50Z

Solid State Devices, Inc.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

24 AMP / 500 Volts

0.2 W

SFF24N50 __ __ __

Screening ^2/__ = Not Screen

TX = TX Level

N-Channel MOSFET

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

Lead Option ^3/__ = Straight Leads

DB = Down Bend

· Rugged Construction with Polysilicon Gate Cell

· Low R_DS(ON)and High Transconductance

· Excellent High Temperature Stability

· Very Fast Switching Speed

· Fast Recovery and Superior dV/dt Performance

· Increased Reverse Energy Capability

UB = Up Bend

Package ^3/M = TO-254

Z = TO-254Z

· Low Input and Transfer Capacitance for Easy Paralleling

· Ceramic Seals for Improved Hermeticity

· Hermetically Sealed Surface Mount Power Package

· TX, TXV, Space Level Screening Available

· Replacement for IXTH24N50 Types

Maximum Ratings

Symbol

Value

500

±20

Units

Drain – Source Voltage

Gate – Source Voltage

Continuous Collector Current

Avalanche Current

V_DS

V_GS

I_D

Volts

Amps

Repetitive

I_AR

Repetitive

Single Pulse

690

E_AR

E_AS

Avalanche Energy

T_C= 25ºC

T_C= 55ºC

150

114

Power Dissipation

P_D

Top & Tstg

R_qJC

ºC

-55 to +150

0.83

Operating & Storage Temperature

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case

ºC/W

TO-254 (M)

TO-254Z (Z)

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: F00165F

DOC

12 3

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与SFF24N50M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFF24N50MDB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF24N50N	SSDI	获取价格	24 AMP 500 Volts 0.23 OHM N-Channel POWER MOSFET
SFF24N50P	SSDI	获取价格	24 AMP 500 Volts 0.23 OHM N-Channel POWER MOSFET
SFF24N50Z	SSDI	获取价格	24 AMP / 500 Volts 0.2 OHM N-Channel POWER MOSFET
SFF24N50ZDB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF24N50ZUB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF250	SSDI	获取价格	30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET
SFF250/61	SSDI	获取价格	30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET
SFF250-61	SSDI	获取价格	30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET
SFF250AAGZ	SSDI	获取价格	Transistor

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