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SFF250

更新时间: 2024-09-28 03:32:35
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SSDI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 227K
描述
30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET

SFF250 技术参数

生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, MILPACK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.63
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.085 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-CBCC-N3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):125 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SFF250 数据手册

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