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SFF250ZDBTX

更新时间： 2024-11-15 20:54:15

品牌	Logo	应用领域
SSDI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	116K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN

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SFF250ZDBTX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFF250ZDBTX 数据手册

SFF250M

SFF250Z

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

30 AMP / 200 Volts

0.060 Ω typical

SFF250 __ __ __

Screening ^2/__ = Not Screen

TX = TX Level

N-Channel POWER MOSFET

│

└

│

└

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

Lead Option ^3/

__ = Straight Leads

DB = Down Bend

UB = Up Bend

• Rugged Construction with Polysilicon Gate Cell

• Low R_DS(ON)and High Transconductance

• Excellent High Temperature Stability

• Very Fast Switching Speed

• Fast Recovery and Superior dV/dt Performance

• Increased Reverse Energy Capability

Package ^3/M = TO-254

Z = TO-254Z

• Low Input and Transfer Capacitance for Easy Paralleling

• Ceramic Seals Available for Improved Hermeticity

• Hermetically Sealed Surface Mount Power Package

• TX, TXV, Space Level Screening Available

• Replacement for IRFM250 Types

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

Volts

Amps

ºC

Drain – Source Voltage

V_DS

V_GS

200

±20

Gate – Source Voltage

Continuous Collector Current

Operating & Storage Temperature

I_D

Top & Tstg

-55 to +150

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case

ºC/W

R_θJC

P_D

T_C= 25ºC

T_C= 55ºC

125

Total Device Dissipation

TO-254 (M)

TO-254Z (Z)

For Pin Out Configuration and Optional Lead Bend, See Page 3.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: F00049E

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12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFF250ZDBTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF250ZGZ	SSDI	获取价格	Transistor
SFF250ZTX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF250ZTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF250ZUB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF250ZUBS	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF250ZUBTX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF250ZUBTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF25P20	SSDI	获取价格	typical P-Channel MOSFET
SFF25P20_1	SSDI	获取价格	typical P-Channel MOSFET

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