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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-254C |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-CSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-CSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF250JGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF250M | SSDI |
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30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF250M_2 | SSDI |
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N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF250M-1 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 200 VOLTS 00.075 ohm N-Channel Power MOSFET |
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| SFF250MDB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SFF250MDBS | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SFF250MDBTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SFF250MDBTXV | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SFF250MGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF250MS | SSDI |
获取价格 |
暂无描述 |
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