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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-254 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-254 | JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF250ZUBS | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SFF250ZUBTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SFF250ZUBTXV | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SFF25P20 | SSDI |
获取价格 |
typical P-Channel MOSFET |
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| SFF25P20_1 | SSDI |
获取价格 |
typical P-Channel MOSFET |
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| SFF25P20M | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SFF25P20MS | SSDI |
获取价格 |
typical P-Channel MOSFET |
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| SFF25P20MTX | SSDI |
获取价格 |
typical P-Channel MOSFET |
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| SFF25P20MTXV | SSDI |
获取价格 |
typical P-Channel MOSFET |
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| SFF25P20S2I | SSDI |
获取价格 |
25 AMP / 200 Volts 125 mヘ P-Channel MOSFET |
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