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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XSFM-P6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF250RGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF250VGZ | SSDI |
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暂无描述 |
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| SFF250Z | SSDI |
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30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF250ZDB | SSDI |
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暂无描述 |
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| SFF250ZDBS | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SFF250ZDBTX | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SFF250ZDBTXV | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SFF250ZGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF250ZTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SFF250ZTXV | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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