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SFF250/61

更新时间: 2024-11-15 02:50:39
品牌 Logo 应用领域
SSDI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 233K
描述
30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET

SFF250/61 技术参数

生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.63Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):30 A最大漏源导通电阻:0.085 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-61
JESD-30 代码:O-MUPM-D3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SFF250/61 数据手册

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