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SFF24N50ZDB

更新时间: 2024-11-15 13:13:27
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SSDI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 217K
描述
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN

SFF24N50ZDB 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-254Z
包装说明:FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.68
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (ID):24 A最大漏源导通电阻:0.25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-XSFM-P3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SFF24N50ZDB 数据手册

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