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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 24 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-259 |
| JESD-30 代码： | R-XSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF24N50Z | SSDI |
获取价格 |
24 AMP / 500 Volts 0.2 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF24N50ZDB | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF24N50ZUB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF250 | SSDI |
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30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF250/61 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF250-61 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF250AAGZ | SSDI |
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Transistor |
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| SFF250AB | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF250C | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF250JGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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