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SFF240JS

更新时间： 2024-11-18 20:57:51

品牌	Logo	应用领域
SSDI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	131K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN

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SFF240JS 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-257AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	雪崩能效等级（Eas）：	450 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AB
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFF240JS 数据手册

SFF240J

SFF240JR

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information^1/

15 AMP, 200 Volts, 0.18 Ω

N-Channel Power MOSFET

SFF240 ___ ___ ____

Screening^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

│

└

│

└

Features:



Rugged construction with polysilicon gate

Low RDS(on) and high transconductance

Excellent high temperature stability

Very fast switching speed

Fast recovery and superior dv/dt performance

Increased reverse energy capability

Low input and transfer capacitance for easy

paralleling

Pin Configuration

__ = Normal

R = Reverse

Package^3/

J = TO-257



Ceramic seals for improved hermeticity

Hermetically sealed package

TX, TXV, S-Level screening available

Replaces: IRFY240 and 2N7219 Types

Maximum Ratings

Symbol

V_DS

Value

Units

Drain - Source Voltage

200

continuous

transient

±20

±30

Gate - Source Voltage

V_GS

I_D1

Max. Continuous Drain Current (package

limited) @ 25ºC

Max. Instantaneous Drain Current (Tj limited)

T_C= 25ºC

I_D2

Max. Avalanche current

@ L = 0.1 mH

I_AS

Single Pulse Avalanche Energy

E_AS

450

@ T_C= 25ºC

@ T_C= 55ºC

Total Power Dissipation

ºC

P_D

T_OP& T_STG

R_θJC

Operating & Storage Temperature

-55 to +150

Maximum Thermal Resistance

(Junction to Case)

ºC/W

NOTES:

TO-257

*Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%.

1/ For ordering information, price, and availability - contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ Maximum current limited by package configuration

4/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics @25^oC.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: F00111B

DOC

12 3

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