5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 24 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF24N50M | SSDI |
获取价格 |
24 AMP / 500 Volts 0.2 OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF24N50MDB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF24N50N | SSDI |
获取价格 |
24 AMP 500 Volts 0.23 OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF24N50P | SSDI |
获取价格 |
24 AMP 500 Volts 0.23 OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF24N50Z | SSDI |
获取价格 |
24 AMP / 500 Volts 0.2 OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF24N50ZDB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF24N50ZUB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF250 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF250/61 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF250-61 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
