Datasheet > SCT2280KE

SCT2280KE

更新时间： 2023-09-03 20:34:31

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关
页数	文件大小	规格书
14页	1048K
描述
基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD非一体型）其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SCT2280KE 数据手册

SCT2280KE

Datasheet

N-channel SiC power MOSFET

lOutline

TO-247N

V_DSS

1200V

280mΩ

14A

R_DS(on)(Typ.)

I_D

(3)

(2)

P_D

108W

(1)

lInner circuit

lFeatures

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Fast reverse recovery

4) Easy to parallel

*1 Body Diode

5) Simple to drive

lPackaging specifications

TO-247N

6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Package

Packing

Tube

Reel size (mm)

lApplication

Tape width (mm)

Type

• Solar inverters

• DC/DC converters

• Induction heating

• Motor drives

Basic ordering unit (pcs)

Packing code

Marking

C11

SCT2280KE

lAbsolute maximum ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

1200

Unit

Drain - Source voltage

T_c= 25°C

T_c= 100°C

I_D

Continuous drain current

I_D

Pulsed drain current

I_D,pulse

V_GSS

Gate - Source voltage (DC)

-6 to 22

-10 to 26

108

Gate - Source surge voltage (T_surge˂ 300nsec)

Power dissipation (T_c= 25°C)

Junction temperature

V_GSS-surge

P_D

T_j

°C

175

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +175

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSQ50211-SCT2280KE

29.Mar.2021 - Rev.001

1/12

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与SCT2280KE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SCT2280KEHR	ROHM	获取价格	采用SiC材质的平面型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻、高速开关的特点，是符合AEC-
SCT2301	ETC	获取价格	high constant driver with supply
SCT2302	ETC	获取价格	2-channel high constant driver with supply
SCT2367	ETC	获取价格	StarChips(台湾晶锜）
SCT2450KE	ROHM	获取价格	基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD非一体型）其特征是高耐压、低导通电阻、高
SCT2450KEHR	ROHM	获取价格	采用SiC材质的平面型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻、高速开关的特点，是符合AEC-
SCT2508	ETC	获取价格	线束/连接线/端子线
SCT2512	ETC	获取价格	12-bit serial-in/parall-out constant current driver
SCT2750NY	ROHM	获取价格	SCT2750NY是1700V 6A的Nch SiC功率MOSFET。
SCT2932	ETC	获取价格	1A LED Driver With Intemal Switch