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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.66 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 72 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.039 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON CARBIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SCT3030KLHR | ROHM |
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沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻 |
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| SCT3040KL | ROHM |
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SCT3040KL是1200V 55A的Nch SiC功率MOSFET。 |
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| SCT3040KLC11 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 1200V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca |
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| SCT3040KLHR | ROHM |
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沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻 |
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| SCT3040KR | ROHM |
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SCT3040KR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟 |
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| SCT3040KRHR (新产品) | ROHM |
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AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3040KRHR is an SiC (Silicon Carbide) trenc |
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| SCT3040KW7 | ROHM |
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SCT3040KW7是1200V 56A的Nch SiC功率MOSFET。采用沟槽结构，降 |
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| SCT305K122D3B25-F | CDE |
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Snubber Film Capacitor |
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| SCT3060AL | ROHM |
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SCT3060AL是650V 39A的Nch SiC功率MOSFET。 |
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| SCT3060ALHR | ROHM |
获取价格 |
沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻 |
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